Mosfet, IGBT we wakuum triodyň senagat induksiýa ýyladyş maşynynda (peç) ulanylmagy

Döwrebap Induksiýa ýylylyk güýji üpjünçilik tehnologiýasy esasan üç görnüşli esasy güýç enjamlaryna daýanýar: MOSFET, IGBT we wakuum triod, bularyň her biri aýratyn amaly ssenariýalarda çalşyp bolmajak rol oýnaýar. MOSFET ajaýyp ýokary ýygylykly aýratynlyklary (100kHz-1MHz) sebäpli takyk ýyladyş pudagynda ilkinji saýlama boldy we şaý-sepleriň eremegi we elektron komponentlerini kebşirlemek ýaly pes güýçli we ýokary takyklyk ssenarileri üçin has amatlydyr. Şolaryň arasynda SiC / GaN MOSFET netijeliligini 90% -den gowrak ýokarlandyrdy, ýöne kuwwat çäkleri (köplenç

Orta ýygylykly we ýokary kuwwatly (1kHz-100kHz) ulgamynda IGBT güýçli bäsdeşlik artykmaçlygyny görkezdi. Senagat ereýän peçleriň we metalyň esasy enjamy hökmünde Atylylygy bejermek önümçilik liniýalary, IGBT modullary MW derejeli güýç çykaryşyny aňsatlyk bilen gazanyp biler. Matureetişen tehnologiýasy we ajaýyp çykdajylylygy ony polat we alýumin erginleri ýaly materiallary gaýtadan işlemek üçin adaty saýlamaga öwürýär. SiC tehnologiýasynyň ornaşdyrylmagy bilen, täze nesil IGBT-iň işleýiş ýygylygy 50kHz-den geçdi we orta ýygylykly zolakda bazaryň agdyklyk etmegini hasam berkitdi.

Ultra ýokary ýygylykly we ýokary güýçli ssenariýalarda (1MHz-30MHz) wakuum triodlary henizem sarsmaz ýagdaýy saklaýar. Metalörite metal eritmek, plazma öndürmek ýa-da ýaýlym geçiriji enjam bolsun, wakuum triodlary MW derejesinde durnukly elektrik çykaryşyny üpjün edip biler. Özboluşly ýokary woltly garşylyk we ýönekeý hereketlendiriji arhitekturasy, pes netijeliligine (50% -70%) we ýokary tehniki çykdajylara garamazdan titanium we sirkonium ýaly işjeň metallary gaýtadan işlemek üçin iň amatly saýlawy edýär.

Häzirki tehnologiki ösüş konwergensiýanyň aýdyň tendensiýasyny görkezýär: MOSFET SiC / GaN tehnologiýasy arkaly ýokary ýygylykly we ýokary güýçli meýdanlara aralaşmagyny dowam etdirýär; IGBT maddy innowasiýa arkaly iş ýygylygy zolagyny giňeltmegi dowam etdirýär; wakuum turbalary aşa ýokary ýygylyk artykmaçlyklaryny saklamak bilen gaty berk enjamlaryň bäsdeşlik basyşyna duçar bolýarlar. Bu tehnologiki ewolýusiýa, induksiýa ýyladyş elektrik üpjünçiliginiň senagat keşbini üýtgedýär.

Hakyky saýlawda inersenerler ýygylygyň, güýjüň we ykdysadyýetiň üç esasy faktoryna doly göz aýlamalydyrlar: MOSFET ýokary ýygylykly we pes güýçli, IGBT orta ýygylykly we ýokary güýçli üçin saýlanýar we ultra-ýokary ýygylyk we ýokary güýç üçin wakuum triodlary henizem zerur. Giň zolakly ýarymgeçiriji tehnologiýanyň ösmegi bilen bu saýlama standarty üýtgäp biler, ýöne ýakyn geljekde üç görnüşli enjam degişli artykmaçlyklarynda möhüm rol oýnamagyny dowam etdirer we induksiýa ýyladyş tehnologiýasynyň has netijeli we takyk ugra gönükdirilmegini bilelikde ösdürer.